氮化硅高导热基板具有高热导率、强度高、绝缘性好、寿命长等优点，成为第三代SiC半导体绝缘散热的最佳匹配，主要应用于Mosfet/lGBT等功率器件，广泛适用于新能源汽车、充电桩、高铁、光伏逆变器等领域。
氮化硅陶瓷基板功率器件
高导热氮化硅陶瓷基板
